将SiC 和金刚石等衬底集成到GaN 中可以改善热管理。研究表明，在相同功率密度下，金刚石基氮化镓相比碳化硅基氮化镓可以降低至少40%的沟道温度，从而使器件寿命提高约10倍。
在不同衬底上运行时消耗相同功率的GaN 晶体管的红外图像显示，金刚石基氮化镓是其中工作温度最低的，因为衬底和栅极之间的温升降低了，从而可以在环境温度下更热的运行。另一项研究表明，金刚石在室温下与氮化镓（GaN）结合可以承受1000的热处理，这大大改善了GaN HEMT的热管理并降低了器件的工作温度。因此，它是GaN HEMT 高温制造工艺的理想材料。
GaN金刚石结合法
氮化镓上金刚石
在GaN HEMT 结构上生长金刚石
金刚石上氮化镓
金刚石衬底上GaN 结构的直接外延生长
GaN/金刚石键合
GaN HEMT 制备完毕后，将其转移并键合到金刚石基板上。
01 氮化镓上金刚石
化学半导体制造有限公司采用微波等离子体化学气相沉积设备实现多晶金刚石材料外延生长，厚度为
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用户评论
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