大家好，今天小编来为大家解答英特尔携CFET新型晶体管亮相ITF World这个问题，很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

我们可以在幻灯片中看到新晶体管上有一个环。幻灯片底部的前两个晶体管是较旧的型号，2024 晶体管完全代表了英特尔的新型RibbonFET 晶体管。英特尔的第一代设计采用“英特尔20A”工艺节点，具有四个堆叠节点，每个节点完全被一扇门包围。

当然，英特尔的渲染能力与imec的CFET渲染还是有一些区别，但英特尔的介绍传达了一点：这种设计允许公司堆叠8个纳米片（是RibbonFET的两倍），从而提高晶体管的密度。

CFET 晶体管堆叠N 晶体管和pMOK 器件以实现更高的密度。目前，这两种类型的晶体管都正在单片和顺序研究中。上图右侧的四个器件详细介绍了各种研究提出的CFET 设计。目前，尚不清楚英特尔将使用哪种设计，或者是否会设计另一种实现方式。鉴于imec并未将CFET纳入其2032年将芯片缩小至5nm的计划中，我们可能需要一段时间才能得到这个答案。

换句话说，并不能保证Intel一定会将CFET纳入其开发计划中。有趣的是，Intel这次展示了其下一代GAA纳米片晶体管（RibbonFET），然后直接跳到CFET，省略了GAA Ribbon晶体管，大多数人认为这应该是纳米片和CFET之间的一步。

此外，Kelleher 的演讲涵盖了各种主题，包括晶体管成本随着时间的推移而下降、晶体管的可靠性随着时间的推移而不断提高、封装工艺日益复杂，以及向对英特尔设计工作至关重要的系统技术转变中的协同优化方法。

凯莱赫的演讲在imecITF World 举行。演讲一开始，她向大家讲述了她与imec的故事：大约三十年前，当她还是一名学生时，她第一次来到imec工作。后来，她在imec呆了两年。三十年来，英特尔也与imec有着长期的合作，并且合作一直持续至今。此次合作使两家公司能够定义下一代软件工具，这些工具将成为驱动世界的芯片。

原标题：英特尔在ITF World 上展示全新堆叠式CFET 晶体管设计

原作者：保罗·奥尔康

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